为长江存储提供3D TSV互连技术
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产品详情
华进半导体与长江存储合作，开发并应用3D TSV（硅通孔）互连技术，用于高性能3D NAND闪存芯片的封装。具体包括：设计和制造TSV通孔结构、优化铜凸点形成工艺、实现多层芯片堆叠以及背露处理。这一解决方案提升了芯片的存储密度（如128层以上堆叠），数据传输速度提高约30%，同时降低了功耗。合作涵盖从前期设计验证到量产阶段的全面工程支持，确保技术在制造线的顺利导入，满足了长江存储在快速发展的数据中心和5G存储市场的需求。
融资次数
9
员工数量
100-499人
专利数量
1047
公司简介
华进半导体是一家半导体封装先导技术研发商，通过开展系统级封装/集成先导技术研究，研发2.5D/3D TSV互连及集成关键技术（包括TSV制造、凸点制造、TSV背露、芯片堆叠等），为产业界提供系统解决方案。同时将开展多种晶圆级高密度封装工艺与SiP产品应用的研发，以及与封装技术相关的材料和设备的验证与研发。
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；集成电路制造；集成电路销售；信息系统集成服务；集成电路设计；计算机软硬件及外围设备制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；知识产权服务（专利代理服务除外）；技术进出口；货物进出口；以自有资金从事投资活动（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
半导体封装技术的研发，特别是系统级封装（SiP）和集成先导技术，包括2.5D/3D TSV互连及集成关键技术
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
有限责任公司
￥4.6247亿
2012-09-29
叶甜春
ceo@ncap-cn.com
无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋