产品&解决方案
华进研发晶圆级系统级封装工艺,包括扇出晶圆级封装(Fan-Out WLP),将多芯片嵌入模塑料中重新布线,实现异构集成。创新点采用热压键合和翘曲抑制算法,在硅中介层上实现高密度互连,有效解决芯片热膨胀系数不匹配问题,提升系统整体性能。
该技术涉及微凸点和铜柱凸点的形成,通过电镀或化学沉积工艺,结合UBM(Under Bump Metallization)层优化,确保小间距芯片互连的电气性能和机械强度。创新点体现在高良率的多层镀覆工艺和表面粗糙度控制技术,适用于5微米以下的小间距封装。
华进半导体在TSV制造中采用先进的光刻和湿法刻蚀工艺,结合铜双镶嵌技术形成垂直互连,实现硅片通孔和微凸点集成。创新点包括低热预算的TSV刻蚀和可靠的电化学镀铜填充工艺,有效解决信号延迟和热管理问题,支持高密度芯片堆叠集成。
华进半导体为北斗卫星导航系统开发并量产高可靠性系统级封装(SiP)模块。项目涉及整合信号处理芯片、射频组件和电源管理单元于单一封装内,采用晶圆级高密度封装工艺实现体积最小化(约减少40%)。华进半导体负责关键技术研发,包括基板材料选型、热管理优化和可靠性测试(如抗震、温变循环验证),确保模块在极端环境下稳定工作(满足QJ标准)。此方案应用于北斗终端设备,提高了定位精度和系统耐用性,支持军民两用需求。
华进半导体与长江存储合作,开发并应用3D TSV(硅通孔)互连技术,用于高性能3D NAND闪存芯片的封装。具体包括:设计和制造TSV通孔结构、优化铜凸点形成工艺、实现多层芯片堆叠以及背露处理。这一解决方案提升了芯片的存储密度(如128层以上堆叠),数据传输速度提高约30%,同时降低了功耗。合作涵盖从前期设计验证到量产阶段的全面工程支持,确保技术在制造线的顺利导入,满足了长江存储在快速发展的数据中心和5G存储市场的需求。
提供定制化SiP集成方案,通过三维堆叠和异构集成技术将处理器、存储器、传感器等不同功能芯片封装为单一模块,优化系统性能与能效比,主要面向汽车电子和医疗设备领域。
支持扇出型晶圆级封装(Fan-Out WLP)和重布线层(RDL)工艺,实现多芯片高密度互连,提升封装集成度与电气性能,适用于移动通信和物联网设备微型化需求。
基于TSV(硅通孔)互连技术的先进封装方案,提供从TSV制造、微凸点形成、芯片堆叠到薄晶圆处理的完整工艺链,应用于高性能计算和人工智能芯片的异构集成。
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融资次数
9
员工数量
100-499人
专利数量
1047
公司简介
华进半导体是一家半导体封装先导技术研发商,通过开展系统级封装/集成先导技术研究,研发2.5D/3D TSV互连及集成关键技术(包括TSV制造、凸点制造、TSV背露、芯片堆叠等),为产业界提供系统解决方案。同时将开展多种晶圆级高密度封装工艺与SiP产品应用的研发,以及与封装技术相关的材料和设备的验证与研发。
经营范围
一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;集成电路制造;集成电路销售;信息系统集成服务;集成电路设计;计算机软硬件及外围设备制造;集成电路芯片及产品制造;集成电路芯片及产品销售;知识产权服务(专利代理服务除外);技术进出口;货物进出口;以自有资金从事投资活动(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动)
主营业务
半导体封装技术的研发,特别是系统级封装(SiP)和集成先导技术,包括2.5D/3D TSV互连及集成关键技术
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
有限责任公司
¥4.6247亿
2012-09-29
叶甜春
ceo@ncap-cn.com
无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋