硅晶圆作为集成电路基底材料，具有电阻率、氧碳含量可控的特点。单晶锭经过线切割、磨片、抛光、清洗等工序的作用，得到具有特定厚度和几何参数以及表面洁净的硅晶片。
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硅晶圆作为集成电路基底材料，具有电阻率、氧碳含量可控的特点。单晶锭经过线切割、磨片、抛光、清洗等工序的作用，得到具有特定厚度和几何参数以及表面洁净的硅晶片。