MOSFET
金属氧化物半导体场效应晶体管技术，聚焦功率管理与开关应用。创新点包括采用超结结构和先进沟槽工艺，实现低导通电阻（Rds(on)<10mΩ）和高速开关特性（开关时间<20ns），减少功耗损失。优化后的栅氧层厚度提升耐压能力（典型600V），结合高电流密度设计，支持高功率应用的高可靠性。这些创新显著提升电源效率和热管理能力。
IGBT
绝缘栅双极型晶体管技术，专攻高电压、大电流功率转换。创新点体现在采用场终止层和沟槽栅结构，实现高压阻断能力（典型1200V）与低导通压降（Vce<1.8V），配合快速开关特性（开关频率>20kHz）减少开关损失。高温稳定性（工作温度达150°C）和高效散热设计是其核心优势，针对新能源和工业应用进行了优化，提升整体系统效率。
MEMS
微机电系统技术，通过将机械元件、传感器、执行器和电子电路集成在同一硅基板上实现微型化与功能一体化。创新点在于采用先进的光刻和刻蚀工艺，实现高精度结构控制（如纳米级特征尺寸）和单片集成设计，提升器件灵敏度（如加速度计达±2g范围）和低功耗性能（工作电流<100μA）。这些优化支持复杂环境下的可靠运行，减少封装尺寸和系统级成本。
员工数量
1000-4999人
专利数量
609
经营范围
半导体（硅及各类化合物半导体）集成电路芯片制造、针测及测试、测试封装；先进晶圆级封装；电子元器件及光学元器件研发及制造；光刻掩膜版开发制造；模具制造与加工；与集成电路、电子/光学元器件有关的开发、设计服务、技术服务；销售自产产品，并提供相关技术咨询和技术服务；从事货物及技术的进出口业务；自有设备、房屋租赁。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
芯联集成是一家提供特色工艺集成电路芯片制造及模块封装的代工厂商，专注于基于MEMS、IGBT和MOSFET等授权工艺平台的一站式生产服务，服务于消费电子、工业控制和新能源市场。
芯联集成电路制造股份有限公司
股份有限公司（外商投资、上市）
￥70.218亿
2018-03-09
赵奇
0575-88060000
unt@unt-c.com
浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号