射频前端集成模块技术
系统级封装（SiP）技术集成功率放大器、滤波器、开关和低噪声放大器等组件，创新点包括多芯片模块设计优化射频性能，减少互连损耗和体积，实现高集成度解决方案。
氮化镓功率放大器技术
使用氮化镓（GaN）半导体材料的射频功率放大器技术，创新点包括高电子迁移率和宽带隙特性实现高功率密度与宽频带覆盖，提高效率并降低能耗，支持高峰均功率比（PAPR）信号处理。
体声波滤波器技术
基于体声波谐振器的射频滤波器技术，通过晶圆级封装提供高Q值和高频段选择性，创新点包括采用薄膜体声波谐振器（FBAR）设计实现超低插入损耗和高温度稳定性，适用于毫米波频段支持5G高频应用。
融资次数
1
员工数量
1000-4999人
经营范围
开发、生产、测试、加工集成电路产品及专用设备、仪器、材料；销售自产产品；自产产品的安装、调试、维护、技术咨询、技术服务。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
威讯联合半导体（北京）有限公司的主营业务是开发、生产、测试和加工集成电路产品，并涉及相关专用设备、仪器及材料的制造，以满足半导体行业的综合需求。
威讯联合半导体（北京）有限公司
有限责任公司(台港澳法人独资)
$3,800万
2001-08-03
郝杰
huiqiu.kang@qorvo.com
北京市北京经济技术开发区同济中路17号