宽禁带半导体器件制造技术
基于SiC材料研发高功率、高频率器件，整合晶圆减薄、金属化接触和封装技术，实现高电流密度（>100A）和低导通电阻（<5mΩ·cm²）。创新点包括多层外延结构设计提高热稳定性，以及智能终端优化方案增强抗浪涌能力，支持高温（200℃以上）操作环境。
碳化硅（SiC）外延生长技术
在SiC衬底上进行同质外延生长，开发高迁移率外延层，利用化学气相沉积（CVD）工艺精确控制掺杂浓度（如氮或铝掺杂）和膜厚均匀性（偏差±5%以内）。创新点在于闭环气体反应系统增强掺杂均一性，以及纳米级缺陷检测技术提高外延层界面质量，优化器件击穿电压（可达1200V以上）。
碳化硅（SiC）单晶生长技术
采用物理气相传输法（PVT）生长高质量碳化硅单晶，通过优化晶种处理、生长室热场设计和原位实时监控，实现低缺陷密度（如微管密度低于0.5 cm²）的6英寸及以上大尺寸晶圆生产。创新点包括引入AI辅助温控算法提升均一性，以及专有石墨坩埚结构减少杂质掺入，确保晶体结构高纯度（纯度达99.999%以上）和产业化规模应用。
融资次数
7
专利数量
73
经营范围
销售电子产品、电子元器件；技术转让、技术咨询、技术服务；货物进出口、代理进出口；生产碳化硅单晶片、4英寸碳化硅单晶片、6英寸碳化硅单晶片、碳化硅和氮化镓外延片、碳化硅功率器件肖特基二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅功率模块、氮化镓功率器件。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
研发与生产宽禁带半导体的晶体材料、外延和器件
北京世纪金光半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥3.7106亿
2010-12-24
李百泉
mamingle@cengol.com
北京市北京经济技术开发区通惠干渠路17号院2号楼3层、4层、5层