硅基氮化镓器件
宽禁带技术中的6英寸硅基氮化镓（GaN）器件，包括高电子迁移率晶体管（HEMT）和肖特基势垒二极管（SBD），耐压超过700V，具有高频、高效率和低损耗特性，适用于快速充电、数据中心电源和5G基础设施，性能居国内领先。
碳化硅器件
宽禁带技术中的6英寸碳化硅（SiC）功率器件，提供高温、高效和高频性能优势，已实现13个系列商业化产品，应用于新能源车逆变器、轨道交通和光伏逆变系统，性能达到国际先进水平。
HV CMOS
功率集成电路中的高压互补金属氧化物半导体（HV CMOS）技术，支持高电压操作，用于显示驱动、LED调光和高压电源转换器等应用。
BCD
功率集成电路中的双极-CMOS-DMOS（BCD）技术，集成高电压、高电流和低功耗特性，应用于智能功率模块和高效电源管理电路，覆盖汽车电子和工业控制领域。
BiCMOS
功率集成电路中的双极性互补金属氧化物半导体（BiCMOS）技术，结合双极和CMOS优点，用于高精度模拟与数字混合信号处理，如电源管理系统和功率控制芯片。
FRD
功率分立器件中的快恢复二极管（FRD），实现快速开关恢复时间，用于高频电源转换和逆变器中，应用领域包括变频电机和新能源车逆变系统。
SBD
功率分立器件中的肖特基势垒二极管（SBD），具有低压降和高速开关特性，适用于电源整流和高频应用，如智能手机充电器和LED驱动。
IGBT
功率分立器件中的绝缘栅双极晶体管（IGBT），专注于高电流开关控制，用于变频家电、新能源汽车电机驱动及工业自动化电源系统。
科创行业
融资次数
2
员工数量
-
专利数量
851
经营范围
一般经营项目是：研究开发集成电路芯片及相关产品；加工、封装、测试及生产经营集成电路芯片；产品的售后技术服务和应用开发。半导体材料的研发与生产经营。从事货物、技术进出口（不含分销、国家专营专控商品）。房屋租赁；物业管理。，许可经营项目是：
主营业务
作为一家晶圆代工企业，专注于提供功率半导体器件和集成电路的晶圆制造服务，包括功率分立器件、功率集成电路以及宽禁带半导体技术领域的产品，服务于节能减排和绿色电子应用市场。
深圳方正微电子有限公司
有限责任公司（法人独资）
￥37.9679亿
2003-12-26
陆波
0755-66823809
zhuangman@founderic.com
深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙七路5号方正微电子工业园