硅基氮化镓（GaN-on-Si）器件制造技术
方正微电子开发的这项技术采用6英寸硅衬底平台制备高电子迁移率晶体管（HEMT）和肖特基势垒二极管（SBD），实现耐压超过700V。其创新点包括先进的外延沉积工艺，通过优化缓冲层设计，提升器件击穿电压和电子迁移率，同时解决热膨胀系数不匹配问题；该技术还结合晶圆级封装集成，减少寄生电容和电感，支持高频高效运行。
碳化硅（SiC）功率器件制造技术
该技术基于6英寸晶圆平台实现SiC器件（包括MOSFET和肖特基势垒二极管等）的商业化量产，是方正微电子的核心创新点。作为中国国内首家掌握此技术的厂商，其关键突破在于优化SiC外延生长和晶圆级刻蚀工艺，实现了高击穿电压（650V以上）和低比导通电阻，同时提升器件热管理性能（工作温度可达200°C以上）。该技术还集成了独特的缺陷控制机制，减少晶格失配，确保批量生产的良率和一致性。
科创行业
融资次数
2
员工数量
-
专利数量
851
经营范围
一般经营项目是：研究开发集成电路芯片及相关产品；加工、封装、测试及生产经营集成电路芯片；产品的售后技术服务和应用开发。半导体材料的研发与生产经营。从事货物、技术进出口（不含分销、国家专营专控商品）。房屋租赁；物业管理。，许可经营项目是：
主营业务
作为一家晶圆代工企业，专注于提供功率半导体器件和集成电路的晶圆制造服务，包括功率分立器件、功率集成电路以及宽禁带半导体技术领域的产品，服务于节能减排和绿色电子应用市场。
深圳方正微电子有限公司
有限责任公司（法人独资）
￥37.9679亿
2003-12-26
陆波
0755-66823809
zhuangman@founderic.com
深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙七路5号方正微电子工业园