4N铬靶（纯度99.99%）作为光掩模版的核心材料，在半导体和平板显示制造中扮演着不可替代的角色。其高纯度、精细加工特性直接决定了掩模版的图形精度和良品率，是推动先进制程发展的关键材料之一。 在掩模版中，铬层通过磁控溅射沉积于石英基板表面，形成遮光图形。4N铬靶因具有高刻蚀精度（可达纳米级）、均一镀膜能力及无毒稳定性，成为中高端掩模版的主流选择.相较于乳胶遮光膜或氧化铁等材料，铬膜能实现更锐利的图形边缘和更高的耐久性，适用于复杂集成电路的多次光刻工艺。
成分(at%) Composition | 纯度 Purity | 密度 Desity | 晶粒度 Grain Size | 制造工艺 Process |
|---|---|---|---|---|
| Cr | 99.5% | ＞99.8% | ＜150um | 热等静压 |
| Cr | 99.8% | ＞99.8% | ＜150um | 热等静压 |
| Cr | 99.9% | ＞99.8% | ＜150um | 热等静压 |
| Cr | 99.95% | ＞99.8% | <200um <100um | 热等静压 |
| Cr | 99.99% | ＞99.8% | <100um | 热等静压 |
尺寸 Size(mm) | Φ301*12 / Φ160×12 / Φ100×32 / Φ105×16 / Φ63×32 170*75*12 / 656*133*12 / 1701*132*12 长度最高可达1800mm，直径最高可达340mm | |||