FO 技术
技术概述
我们提供 Chip First 和 Chip Last 两种解决方案。对于芯片优先技术，第一步是将芯片面朝下放在带有粘附层的临时承载体上。第二步是用模料（EMC）覆盖模具表面。第三步是通过热释放去除粘附层和临时载体;最后，RDL 层和焊球直接在芯片和化合物表面上制造。
扇形包不仅可以使用复合材料，还能使用基材，因此扇形包扩展到另一种类型：底材扇形包（FOPoS）。
应用
我们将优化解决方案以满足客户需求。FO 技术被广泛应用于 MIC、RF、CPU、GPU 和网络。
特征
◆ 前台尺寸：32x26 毫米
◆ 将节点推进至16纳米
◆ RDL L/S：2/2um
◆ RDL 层：3 层
包类型
◆ eWLB
◆ FOPoS 芯片第一面朝下
◆ FOPoS 芯片首次正面
◆ FOPoS 芯片最后
主要优势包括
◆ 成本低于 2.5D。
◆ 良好的电气性能
◆ 高 I/O 引脚数
我们还提供广泛的产品测试开发，并在 CPU、APU、GPU、芯片组、数字音频、基带、微控制器、LCD 驱动、触摸面板驱动等领域拥有丰富经验。