原子层沉积（ALD）超薄膜解决方案
该方案基于拓荆科技的12英寸ALD设备，提供原子级精确的薄膜沉积，用于形成超薄高k介质层或金属栅极。它通过自限制化学反应实现纳米级厚度控制，解决先进节点制程中的漏电和均匀性挑战。
3D NAND闪存薄膜沉积解决方案
该方案结合拓荆科技的3D NAND薄膜设备，专注于3D NAND闪存芯片中的多层堆叠结构制造。通过优化薄膜沉积工艺，它解决高纵横比结构中台阶覆盖和均匀性问题，确保数据存储密度和可靠性。
OLED显示薄膜沉积解决方案
该方案采用拓荆科技的专用OLED薄膜设备，提供针对有机发光二极管显示面板的薄膜沉积服务，如封装层和保护膜形成。它使用等离子体增强技术确保薄膜密度和光学性能，解决OLED面板亮度衰减和寿命延长挑战。
集成电路PECVD薄膜沉积解决方案
该方案基于拓荆科技的2-12英寸PECVD设备，用于大规模集成电路生产线中的关键薄膜沉积过程，如SiO2和SiN薄膜形成。它能有效支持高密度等离子体沉积，确保薄膜均匀性和粘附力，解决先进芯片制造中的介电层质量控制和缺陷减少问题。
A股代码
688072.SH
专利数量
684
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广，电子专用设备制造，电子专用设备销售，半导体器件专用设备制造，半导体器件专用设备销售，机械零件、零部件加工，机械零件、零部件销售，销售代理，非居住房地产租赁（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
拓荆科技的核心业务是研发、生产和销售半导体薄膜沉积设备，如PECVD和ALD设备，专注于支持集成电路、先进封装、OLED显示和3D NAND存储器等高端技术领域的制造过程。
拓荆科技股份有限公司
股份有限公司（外商投资、上市）
￥1.8819亿
2010-04-28
刘静
024-24188000
mingyue.guo@piotech.cn
辽宁省沈阳市浑南区水家900号