3D NAND薄膜沉积技术
专为三维存储结构优化的沉积技术，采用阶梯式沉积算法和高深宽比填充创新，解决多层堆叠中的应力和均一性问题。创新点包括原位监测模块和应力管理设计，提升量产效率。
OLED薄膜沉积设备技术
针对OLED显示开发的专有技术，整合PECVD和溅射工艺，支持大面积柔性基板的薄膜沉积。创新点包括真空传输系统设计和大面积均化模块，满足高分辨率和高产率显示制造。
原子层沉积 (ALD)
该技术基于原子级精密沉积机制，融合等离子增强模式和原位清洗创新，实现超薄、共形膜层的无针孔生长。创新点包括闭环控制系统和前驱体精准管理，确保纳米级精度和高可重复性。
等离子增强化学气相沉积 (PECVD)
拓荆科技的PECVD技术采用高频等离子体发生器和多区温度控制系统，实现高均匀性薄膜沉积。创新点在于动态气流调节和低温工艺，大幅提升沉积速率同时减少颗粒缺陷，适用于大规模集成电路量产环境。
细分行业
A股代码
688072.SH
专利数量
684
经营范围
一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广，电子专用设备制造，电子专用设备销售，半导体器件专用设备制造，半导体器件专用设备销售，机械零件、零部件加工，机械零件、零部件销售，销售代理，非居住房地产租赁（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
拓荆科技的核心业务是研发、生产和销售半导体薄膜沉积设备，如PECVD和ALD设备，专注于支持集成电路、先进封装、OLED显示和3D NAND存储器等高端技术领域的制造过程。
拓荆科技股份有限公司
股份有限公司（外商投资、上市）
￥1.8819亿
2010-04-28
刘静
024-24188000
mingyue.guo@piotech.cn
辽宁省沈阳市浑南区水家900号