氮化镓基紫外LED解决方案
中创燕园提供基于氮化镓（GaN）的紫外（UV）LED材料和应用方案，通过优化外延技术和器件结构，实现高功率UV光源，用于消毒、净化和固化等场景。方案涵盖UV芯片的研发、封装和系统集成，支持深紫外（UVC）和中紫外（UVA）波段的定制开发。
碳化硅单晶衬底解决方案
中创燕园专注于碳化硅（SiC）单晶衬底的研发和制造，提供高纯度、低缺陷的衬底材料，用于构建功率半导体器件的核心基板。方案包括晶体生长控制、切片和抛光工艺，确保衬底的电学性能稳定，适用于高功率密度和高频率环境。
第三代半导体材料外延技术解决方案
中创燕园基于北京大学宽禁带半导体研究中心的技术基础，提供氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）材料外延生长解决方案，利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）等工艺，制造高质量的外延片，用于生产高效功率器件、LED和射频器件。该方案覆盖从材料设计、晶体生长到器件集成，确保低缺陷密度和高可靠性。
融资次数
2
员工数量
50-99人
专利数量
19
经营范围
公司的第二经营场所为保定市惠阳街369号保定·中关村创新中心基地1号楼A座。半导体材料、分立器件及集成电路设备的研发、生产、销售、技术咨询、技术服务、技术转让；货物及技术进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
第三代半导体关键材料技术及应用，特别是在碳化硅外延片的研发、生产和商业化领域。
保定中创燕园半导体科技有限公司
其他有限责任公司
￥1.1334亿
2016-05-18
王建保
13633225702
保定市惠阳街369号中关村创新基地1号楼A座B座