相关材料开发服务
中创燕园提供基于第三代半导体材料的定制开发和技术服务，包括材料表征、工艺优化和解决方案支持。服务涵盖碳化硅和氮化镓材料的生长、切片、抛光等关键技术环节，帮助客户实现材料适配和性能提升。公司依托北京大学宽禁带半导体研究中心的技术背景，提供产学研合作支持，适用于半导体产业研发和生产优化需求。
氮化镓外延片
氮化镓（GaN）外延片是中创燕园的另一核心产品，采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石或碳化硅衬底上生长而成。产品具备高频、高功率特性，支撑高频射频（RF）和高效功率电子应用。典型应用场景包括5G通信基站射频前端模块、快速充电器（如GaN充电器）、微波功率放大器等。产品细节包括优化生长工艺以降低位错密度，提升电子迁移率，确保器件可靠性。
碳化硅单晶衬底
中创燕园专注于制造6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底，该产品采用化学气相沉积（CVD）技术生长而成，具有高结晶质量、低缺陷密度特性。作为第三代半导体关键材料，主要应用于功率半导体器件制造，包括电动汽车（EV）功率模块、光伏逆变器和工业电源系统等。产品规格符合国际标准，厚度在350μm以上，表面粗糙度控制在0.2nm以内，可大幅提升器件的耐高温和开关性能。
融资次数
2
员工数量
50-99人
专利数量
19
经营范围
公司的第二经营场所为保定市惠阳街369号保定·中关村创新中心基地1号楼A座。半导体材料、分立器件及集成电路设备的研发、生产、销售、技术咨询、技术服务、技术转让；货物及技术进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
第三代半导体关键材料技术及应用，特别是在碳化硅外延片的研发、生产和商业化领域。