功率器件
华虹半导体的功率器件技术基于高压BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，创新点在硅基IGBTs和Power MOSFETs结构中实现了高效率功率转换，通过优化沟槽栅极设计和热管理，提升击穿电压至1200V级别并降低导通电阻（Rds(on))，减少能源损耗并增强热稳定性。
嵌入式非易失性存储器
华虹半导体采用专有的55nm至40nm工艺节点技术实现嵌入式非易失性存储器（eNVM），创新点在于其高度集成的闪存设计，可实现单芯片集成逻辑电路和存储单元，结合低功耗架构优化和高可靠耐久性（支持高达10万次擦写循环），有效降低系统功耗和成本。
融资次数
2
员工数量
1000-4999人
专利数量
1409
经营范围
集成电路产品的设计、开发、制造、测试、封装、销售及技术服务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可展开经营活动）
主营业务
集成电路的研发、生产和销售，以及提供专业的测试服务
华虹半导体（无锡）有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
$25.3685亿
2017-10-10
张素心
0510-89550888
huixing.ding@hhgrace.com
无锡市新吴区新洲路30号