逆向工程解决方案
针对现有半导体器件的分析和再设计方案，包括芯片解构、参数测量和等效设计输出。服务提供旧器件克隆、性能升级或成本优化替代方案，适用于传统工业设备维护和老旧系统更新需求。
正向设计服务
基于用户规格提供的芯片正向开发解决方案，涵盖从需求定义、电路设计、仿真模拟到流片生产的全流程。服务包括定制IGBT架构、优化能效模型和生产测试支持，帮助客户实现特定应用场景如高铁或光伏的专用芯片开发。
IGBT功率模块
集成多芯片的IGBT模块产品，包括半桥、全桥和PIM（功率集成模块）等结构。模块电压范围从600V至1700V，电流能力最高达600A，内建NTC温度传感器和优化布局以实现低电感。专用于高功率应用如新能源发电逆变器、工业变频器和电动车辆驱动系统。
IGBT单管器件
基于自研IGBT芯片的功率单管器件，采用标准封装如TO-247或SOT-227，提供单芯片功率开关功能。主要规格包括650V/30A、1200V/40A等选项，具有低饱和压降和高热稳定性优势。广泛应用于伺服驱动器、UPS电源和消费电子领域。
IGBT芯片
森未科技的核心半导体产品，包括高压大电流IGBT芯片，电压等级覆盖600V、1200V和1700V等。芯片设计采用第三代场终止技术，具有低导通损耗、高开关频率和高可靠性特点，适用于工业电机控制、变频家电和电动工具等场景。基于客户需求，可定制特定参数如耐压和开关特性。
融资次数
6
员工数量
50-99人
专利数量
43
经营范围
电子元器件、集成电路、电力电子设备及软件的开发、销售并提供技术咨询、技术服务、技术转让；货物进出口；技术进出口；（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可展开经营活动）。
主营业务
IGBT芯片及相关产品的研发、生产与定制解决方案提供
成都森未科技有限公司
其他有限责任公司
2017-07-06
胡强
huqiang@fusemi.cn
中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层401号