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芯冠科技
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氮化镓射频器件解决方案
专注于氮化镓射频(RF)电子器件的研发和产业化,支持高频率、高功率的通信应用。该方案提供高性能GaN HEMT器件,适用于高频段无线通信系统,提升信号传输效率和可靠性。
氮化镓功率半导体器件解决方案
基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率半导体解决方案,包括外延材料生长和电子器件开发。该方案聚焦于高压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件的产业化应用,实现高效电源转换,具有高频操作和高功率密度特性,适用于快速开关电源系统。
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
32
经营范围
半导体材料及电子元器件的设计、生产和销售;集成电路器件的设计、生产和销售;国内一般贸易;货物进出口、技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)
主营业务
以氮化镓为核心的第三代半导体外延材料研发、功率器件设计与产业化,覆盖材料制备、器件开发到技术落地的完整产业链。
公司全称
润新微电子(大连)有限公司
公司类型
有限责任公司(港澳台投资、非独资)
注册资本
¥1.3097亿
成立时间
2016-03-17
法定代表人
梁辉南
电话
0411-39056676
邮箱
crmic_rxw_pr_zy@runxin.crmicro.com
地址
辽宁省大连高新技术产业园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼