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第三代半导体产业化
推进氮化镓技术的产业化落地,包括外延材料批量生产、功率器件规模化制造、客户技术支持及市场应用方案开发,促进第三代半导体技术在电力电子领域的商业化应用。
氮化镓功率器件开发
设计、制造和销售基于氮化镓材料的功率半导体器件(如HEMT器件),涵盖650V/900V等高压产品研发、器件封装测试及可靠性验证,应用于高效能源转换领域。
氮化镓外延材料研发
专注于第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发与生产,包括硅基氮化镓外延片的材料结构设计、生长工艺开发和晶圆级制造,为功率器件提供核心材料基础。
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
32
经营范围
半导体材料及电子元器件的设计、生产和销售;集成电路器件的设计、生产和销售;国内一般贸易;货物进出口、技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动。)
主营业务
以氮化镓为核心的第三代半导体外延材料研发、功率器件设计与产业化,覆盖材料制备、器件开发到技术落地的完整产业链。
公司全称
润新微电子(大连)有限公司
公司类型
有限责任公司(港澳台投资、非独资)
注册资本
¥1.3097亿
成立时间
2016-03-17
法定代表人
梁辉南
电话
0411-39056676
邮箱
crmic_rxw_pr_zy@runxin.crmicro.com
地址
辽宁省大连高新技术产业园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼