氮化镓外延片
芯冠科技研发的GaN-on-Si外延片（如GaN-on-150mm/200mm硅晶圆），采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长技术，提供高均匀性、低缺陷密度的氮化镓薄膜层（厚度控制在微米级别）。该产品是第三代半导体核心材料，具备高电子迁移率（>2000 cm²/V·s）和击穿电压（可达1000V以上），专为功率电子器件（如HEMTs）和射频器件设计，适用于5G基站、射频功率放大器、雷达系统及LED照明驱动等高频、高功率密度场景。外延片厚度、掺杂水平及结构参数可定制，符合行业质量标准（如AEC-Q101认证）。
650V增强型氮化镓功率晶体管
芯冠科技提供的650V增强型氮化镓（GaN-on-Si）功率开关器件，采用硅基氮化镓技术，具有高开关频率（最高可达MHz范围）、低导通电阻（典型值低于70mΩ）和优异的散热性能。它支持高效能量转换，功耗降低达20%以上，适用于电源适配器、数据中心服务器电源、电动车充电站及快速充电器等应用，能提升系统功率密度和能源效率。产品规格包括标准TO封装和表面贴装选项，兼容工业级温度范围（-40°C至150°C）。
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
32
经营范围
半导体材料及电子元器件的设计、生产和销售；集成电路器件的设计、生产和销售；国内一般贸易；货物进出口、技术进出口。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。）
主营业务
以氮化镓为核心的第三代半导体外延材料研发、功率器件设计与产业化，覆盖材料制备、器件开发到技术落地的完整产业链。
润新微电子（大连）有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
￥1.3097亿
2016-03-17
梁辉南
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