氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）器件设计
该技术基于GaN外延层设计高压、高效HEMT器件，核心技术包括优化沟道结构（如二维电子气浓度调控）、减小电流坍塌效应，以及创新栅极设计（如p-GaN栅或多场板结构），实现低开关损耗和高功率密度。关键技术指标包括击穿电压达650V以上、导通电阻低于100mΩ·mm，创新点在于集成单片化IC设计，提高系统集成度和可靠性。
氮化镓外延生长技术
芯冠科技专注于使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）在硅基衬底上生长高品质氮化镓外延层，关键技术点包括精确控制生长温度、气压和材料比例以降低缺陷密度（如位错密度<10^8 cm⁻²），实现晶格匹配和应力优化，提升材料的电子迁移率和击穿电压。创新点在于结合缓冲层结构设计，如AlGaN或超晶格层，改善异质外延界面缺陷，支持高可靠性器件制造。
融资次数
3
员工数量
50-99人
专利数量
32
经营范围
半导体材料及电子元器件的设计、生产和销售；集成电路器件的设计、生产和销售；国内一般贸易；货物进出口、技术进出口。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动。）
主营业务
以氮化镓为核心的第三代半导体外延材料研发、功率器件设计与产业化，覆盖材料制备、器件开发到技术落地的完整产业链。
润新微电子（大连）有限公司
有限责任公司（港澳台投资、非独资）
￥1.3097亿
2016-03-17
梁辉南
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辽宁省大连高新技术产业园区七贤岭信达街57号工业设计产业园7号楼