直接覆铜（DBC）陶瓷基板解决方案
威斯派尔开发的核心基于直接覆铜（DBC）技术的陶瓷基板，采用高温氧化工艺在陶瓷表面（如氧化铝或氮化铝）直接键合纯铜箔，形成结构均匀的覆铜层。该解决方案提供低热阻电气隔离层，支持高功率密度电子器件的散热和电气连接，涵盖基板材料选择、厚度优化和表面处理，确保在高频和高电流环境下的稳定运行。
活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板解决方案
威斯派尔提供基于活性金属钎焊（AMB）技术的陶瓷基板，该技术通过真空高温钎焊工艺，在氧化铝或氮化铝陶瓷基底上使用活性金属钛、锆等材料精密焊接铜层，实现高导热、高绝缘性能，适用于需要严格散热和可靠性的功率半导体封装。解决方案包括基板设计优化、工艺流程控制和质量检测，可定制尺寸和涂层以满足不同应用要求。
融资次数
2
员工数量
50-99人
专利数量
29
经营范围
许可项目：货物进出口；技术进出口；进出口代理（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准）一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子专用材料制造；电子元器件制造；特种陶瓷制品制造；电力电子元器件制造；非居住房地产租赁（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
专注于活性金属钎焊（AMB）技术和直接覆铜（DBC）技术的研发、制造，提供高性能覆铜陶瓷基板，用于高功率密度、高温度稳定性和高效率应用场景。
南通威斯派尔半导体技术有限公司
有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
2020-03-04
刘晓辉
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南通高新技术产业开发区双福路118号