半导体硅片表面处理技术
专注于硅片的精密加工工艺，包括化学机械抛光（CMP）、超纯水清洗和表面缺陷控制。技术突破在于多步抛光系统的设计及在线缺陷监测系统（如AFM技术应用），确保表面平整度≤1nm RMS、金属杂质含量＜5×10⁹ atoms/cm²。通过纳米级控制颗粒污染（粒径≤0.1μm），提升硅片表面洁净度。
大尺寸单晶硅生长技术
该技术基于改进的Czochralski工艺，用于生产直径8英寸及以上的单晶硅锭。核心创新点包括高精度热场控制、杂质浓度自动监测及均匀性优化，通过先进的热场设计和晶体生长算法，显著降低位错缺陷密度，实现高纯度（电阻率可控制在1-100 Ω·cm范围）和低氧含量（＜1 ppba），满足先进半导体制程要求。