碳化硅外延技术
希科半导体聚焦于6英寸碳化硅(SiC)外延晶片的开发与量产，采用化学气相沉积(CVD)等先进外延工艺，实现n型和p型掺杂层的精确生长。核心技术通过优化反应气体控制、温度梯度和掺杂均匀性，创新性地降低表面缺陷密度（如微管和位错密度）至行业领先水平（典型值<1 cm⁻²），并保证厚度均匀性（标准差<2%），以支持高质量功率器件制造。
融资次数
2
员工数量
小于50人
专利数量
31
经营范围
一般项目：电子专用材料研发；电子专用材料销售；电子专用材料制造；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；货物进出口（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
致力于第三代半导体碳化硅材料的研发和生产，核心业务为提供高性能的6吋n型和p型掺杂外延晶片材料，服务于功率半导体产业链关键环节，支持新能源汽车、光伏风电等新兴领域发展。
希科半导体科技（苏州）有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥2,951万
2021-08-13
夏玉山
0512-62888567
recruitment@sicosemi.com
苏州工业园区双灯路1号苏州纳米城III区第三代半导体产业园1号楼101、102、108厂房