4G LTE 多频段 PA 模组
覆盖 FDD-LTE Band1/Band3/Band7 及 TDD-LTE Band38/Band41 的主流频段组合方案，支持载波聚合技术，符合 Cat4/Cat6 速率要求。
TD-LTE 射频前端方案
基于 InGaP HBT 工艺的功率放大器模块，支持 TD-LTE Band38/Band39/Band40/Band41 频段，集成 LNA 和开关控制，适用于 TDD 智能终端设计。
3G 多模射频前端方案
支持 W-CDMA/HSPA 与 TD-SCDMA 制式的多频段功率放大器模块，覆盖 Band1/Band2/Band5/Band8 及 TD-SCDMA 频段，满足全球漫游需求。
2G 射频前端解决方案
针对 GSM 850/900/1800/1900 频段设计的射频功率放大器模块(PA Module)，集成功率检测和控制功能，支持 GPRS/EDGE 数据业务。
融资次数
1
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路制造；集成电路销售；软件开发；电子产品销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；货物进出口；技术进出口；集成电路芯片及产品销售（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
射频前端芯片设计与解决方案供应，覆盖2G/3G/4G通信标准，重点发展TD-LTE射频功放技术
无锡中普微电子有限公司
有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
￥4,298万
2010-06-28
李冠宇
0510-85104530
yuanmin@cuct.com.cn
无锡市滨湖区五三零大厦2号十三层