高频大功率器件
基于氧化镓材料的功率半导体器件，如肖特基势垒二极管（SBD）和场效应晶体管（FET），设计用于高频（GHz频段）和高功率（10kW以上）应用。特性包括高电子饱和迁移率和优异的开关性能，适用于5G通信基站、电动汽车充电系统及工业电源管理，增强能源效率和系统可靠性。
高灵敏度日盲紫外探测器
工作在日盲紫外波段（UVC，波长200-280nm）的探测器，具备高响应速度（纳秒级别）和低暗电流特性。应用包括火焰检测、环境监测（臭氧层探测）和生化传感，可实现远程、非接触式监控，已在多个研究项目中验证其可靠性和灵敏度，为国家安全及工业领域提供解决方案。
氧化镓外延衬底
包括同质外延和异质外延结构（如蓝宝石、SiC或AlN基底上的氧化镓层），通过分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术生长。用于优化器件界面质量和提高性能，支持深紫外光电器件和功率电子器件的研发，提供定制化服务以满足特定研究需求。
氧化镓单晶衬底
基于氧化镓（Ga2O3）的单晶衬底，采用Czochralski工艺或其他生长方法制备，主要用于半导体器件的基片材料。具有高耐压（可超过8kV/mm）和优异的热稳定性，适用于高频高功率应用场景，如电子电力设备中的逆变器和整流器，为研发机构和行业客户提供上游材料支持。
融资次数
4
员工数量
-
专利数量
45
经营范围
制造碳化硅、氮化镓、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件（包括第三代半导体材料等）；技术开发、技术转让、技术咨询；产品设计；软件开发；销售电子产品；技术进出口、货物进出口、代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
专注于基于超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底的研发和生产，同时拓展其在日盲紫外探测器件和高频大功率器件中的应用产业化。
北京铭镓半导体有限公司
有限责任公司（外商投资、非独资）
￥2,159万
2020-11-20
陈政委
010-89497056
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北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室