产品&解决方案
开发基于β-Ga₂O₃的垂直肖特基势垒二极管（SBD），采用场板终端结构及超薄势垒层优化，实现击穿电压＞1.2kV、反向漏电流＜10μA/mm²、品质因子（Baliga's FOM）＞3GW/cm²的性能指标。
开发基于氧化镓MSM（金属-半导体-金属）结构的日盲紫外探测器，通过电极微纳图案化及表面钝化工艺，实现240-280nm波段响应度＞0.2A/W、暗电流＜1pA的器件性能，具备纳秒级响应速度。
基于MOCVD/HVPE工艺开发氧化镓-蓝宝石/氮化铝异质外延技术，通过应变缓冲层设计及界面缺陷控制，实现低穿透位错密度（<10^6/cm²）的外延薄膜生长。创新性采用两步外延法解决晶格失配导致的薄膜龟裂难题。
采用熔体法（如导模法或提拉法）生长β相氧化镓单晶，通过热场设计、掺杂控制及缺陷抑制工艺，实现高结晶质量、大尺寸（2英寸及以上）单晶衬底的量产。创新点包括开发非贵金属铱金坩埚替代方案，显著降低生产成本并解决晶体开裂问题。
为苏州纳维科技等10余家半导体企业提供氧化镓材料验证服务。通过建立材料参数数据库（包括XRD半峰宽<100 arcsec、表面粗糙度<0.5nm等关键指标），形成标准化检测流程，缩短客户新材料验证周期60%，加速其功率器件产品迭代。
联合西安电子科技大学攻关氧化镓异质外延技术，2022年交付首批4英寸同质外延片。通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺优化，实现外延层厚度均匀性±2.5%、载流子浓度波动<8%的技术指标，支撑该校完成国家重点项目中的耐高压肖特基二极管原型制备。
为中国科学院半导体研究所提供高质量氧化镓单晶衬底材料，支持其开发高性能日盲紫外探测器。铭镓半导体通过定制化晶体生长工艺，提供直径2英寸、位错密度低于10^4/cm²的β相氧化镓衬底，解决了该研究所此前依赖进口衬底导致的研发周期长、成本高的问题。
开发高频大功率半导体器件，用于高频信号处理和能量转换应用。依托氧化镓材料的优越性能，提升器件效率和可靠性。
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融资次数
4
员工数量
-
专利数量
45
公司简介
北京铭镓半导体有限公司是国内率先专业从事第四代（超宽禁带）半导体氧化镓材料开发及应用产业化的高科技公司。2020年11月20日，注资1000万元成立。铭镓半导体致力于研发和生产基于新型超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底、高灵敏度日盲紫外探测器件、高频大功率器件等。经过探索和努力，初步完成氧化单晶衬底、氧化镓异质/同质外延衬底生产和研发平台的构建。申请20余项专利，为全国100多家从事氧化镓后端器件开发的研究机构和企业客户提供上游材料保障，急速推进和增强我国在第四代半导体材料的国际产业地位和核心竞争力。
经营范围
制造碳化硅、氮化镓、氧化铝、金刚石等宽禁带半导体材料及相关器件（包括第三代半导体材料等）；技术开发、技术转让、技术咨询；产品设计；软件开发；销售电子产品；技术进出口、货物进出口、代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
专注于基于超宽禁带半导体材料氧化镓的高质量单晶与外延衬底的研发和生产，同时拓展其在日盲紫外探测器件和高频大功率器件中的应用产业化。
北京铭镓半导体有限公司
有限责任公司（外商投资、非独资）
￥2,159万
2020-11-20
陈政委
010-89497056
lynz129@126.eom
北京市顺义区顺强路1号1幢1层102室