定制存储芯片开发服务
东芯股份提供定制化存储芯片设计服务，根据客户特定需求（如容量、速度、封装或接口）开发优化方案；基于其专利技术和平台，涵盖NAND、NOR、DRAM等全系列产品。服务流程包括需求分析、IP核集成、流片验证和量产支持，确保芯片符合行业标准和客户应用场景。方案专注于快速迭代和成本效益比，服务于高附加值市场。
MCP多芯片集成存储解决方案
此解决方案结合东芯股份的MCP(多芯片封装)技术，将NAND Flash、NOR Flash和DRAM集成于单一封装中，提供一站式存储子系统。支持自定义组合，例如NOR用于引导代码、DRAM用于运行内存、NAND用于数据存储，减少了PCB空间占用和功耗。方案包含热管理和信号隔离特性，确保多芯片协同工作的可靠性。
DRAM高性能系统内存解决方案
此方案基于东芯股份的DRAM存储芯片，包括DDR2/DDR3/LPDDR系列，覆盖从64Mb到2Gb的密度范围；通过内存控制接口优化，提升数据传输速率和带宽，同时降低功耗。整合了节能模式设计，支持动态频率调整，适用于需要高吞吐内存访问的系统。方案包括时序校准和信号完整性分析，确保在恶劣环境下稳定运行。
NOR Flash快速引导存储解决方案
该方案利用东芯股份的NOR Flash芯片，专注于代码存储和快速启动应用，支持从1Mb到128Mb容量；设计采用XIP(Execute-In-Place)技术，允许CPU直接从闪存运行代码，无需加载到RAM，从而缩短系统启动时间。同时，集成了磨损均衡算法，延长芯片使用寿命。适用于需要即时响应的boot loader和执行代码的场景。
中小容量NAND Flash嵌入式存储解决方案
该解决方案基于东芯股份自主研发的NAND Flash存储芯片，支持从512Mb到4Gb的容量范围，采用先进工艺技术，提供高可靠性、低功耗和小封装尺寸，针对嵌入式系统和可移动存储设备优化。核心包括错误校正(ECC)机制和坏块管理算法，确保数据完整性和稳定性；可配合主控芯片或MCU接口，实现快速读写操作。
融资次数
4
员工数量
100-499人
专利数量
47
经营范围
半导体、电子元器件的设计、技术开发、销售，计算机软件的设计、研发、制作、销售，计算机硬件的设计、技术开发、销售，计算机系统集成的设计、调试、维护，电子技术，计算机技术领域内的技术咨询、技术服务、技术转让，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
中小容量通用型存储芯片的研发、设计、销售及相关技术服务
东芯半导体股份有限公司
股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
￥4.4225亿
2014-11-26
蒋学明
021-61360500
lisacao@dosilicon.com
上海市青浦区赵巷镇沪青平公路2855弄1-72号B座12层A区1228室