多芯片封装（MCP）集成技术
结合NAND Flash、NOR Flash和DRAM等多种存储类型，通过高密度互连和共封装设计，实现单模块集成（厚度<1.0mm），优化系统级性能。创新点包括专利的热应力补偿结构和信号完整性优化算法，减少电磁干扰（EMI），提升整体可靠性和生产良率。
中小容量DRAM定制优化技术
基于LPDDR接口标准，设计针对低功耗和紧凑封装的DRAM产品，采用低漏电工艺（如40nm制程），优化刷新机制和位线预charge技术，降低动态功耗（典型读/写功耗<100mW），同时提高带宽效率。创新点包括定制化时序控制算法和热管理IP，确保高可靠性和低延迟（访问时间<10ns）。
低功耗NOR Flash设计技术
采用高可靠性的浮栅单元结构，支持eXecute-In-Place（XIP）功能，实现高速随机访问（读取延迟低至70ns）和低工作电压（支持1.8V操作）。创新点包括优化的电荷泵电路和动态电源管理，提供超低待机电流（低至1µA），并在高频振荡下减少热耗散，适用于低功耗场景。
自研NAND Flash控制器技术
东芯半导体通过自研控制器IP核心，集成先进错误校正码（如BCH或LDPC算法）和坏块管理机制，优化读写速度（典型访问延迟低于30ns）及耐擦写次数（支持高达10万次擦写），显著提升数据可靠性和芯片寿命。创新点包括专利的动态电压调节技术和温度补偿设计，确保在宽温度范围（-40°C至85°C）下稳定运行。
融资次数
4
员工数量
100-499人
专利数量
47
经营范围
半导体、电子元器件的设计、技术开发、销售，计算机软件的设计、研发、制作、销售，计算机硬件的设计、技术开发、销售，计算机系统集成的设计、调试、维护，电子技术，计算机技术领域内的技术咨询、技术服务、技术转让，从事货物及技术的进出口业务。【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
主营业务
中小容量通用型存储芯片的研发、设计、销售及相关技术服务
东芯半导体股份有限公司
股份有限公司(上市、自然人投资或控股)
￥4.4225亿
2014-11-26
蒋学明
021-61360500
lisacao@dosilicon.com
上海市青浦区赵巷镇沪青平公路2855弄1-72号B座12层A区1228室