1550nm铟镓砷堆叠封装激光雷达芯片
该技术工作在1550nm波长，使用铟镓砷(InGaAs)光电探测器材料，结合3D堆叠封装工艺，如SiP(System-in-Package)或Fan-out封装。创新点包括利用1550nm光源的人眼安全优势(符合IEC 60825-1标准)，并通过芯片级堆叠整合光电转换与数字信号处理模块，提升测距精度和抗环境干扰能力。
混合三维堆叠面阵激光雷达芯片
此技术基于混合三维堆叠(Hybrid 3D Stacking)架构，结合硅基电路层和InGaAs或硅光电器件的垂直堆叠，实现多功能的单片集成。创新点在于通过TSV(Through-Silicon Via)技术和异质材料键合，提升信号并行处理能力和光电子转换效率，支持高速、低延迟的3D数据获取。
后侧照明面阵激光雷达芯片
该技术采用后侧照明(Back-Side Illuminated, BSI)设计，将感光元件置于芯片背面，优化光子收集路径以减少光学损失和串扰。关键创新点包括利用CMOS兼容工艺实现更高的量子效率和动态范围，支持微型化阵列设计，适用于高分辨率深度感知应用。
员工数量
小于50人
专利数量
12
经营范围
一般项目：从事半导体科技、智能科技、电子科技、机电科技、能源科技、计算机科技、微电子科技、光电科技、集成电路科技领域内技术开发、技术咨询、技术转让、技术服务；日用百货、电子产品、计算机软件及辅助设备、机电设备、环保设备、机械设备及配件的销售，芯片、集成电路及相关电子产品、仪器仪表的设计、研发、销售，货物进出口、技术进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
手机3D Lidar芯片的开发