微型发光二极管技术
作为LED领域的领军者，三安半导体开发微型LED（Micro-LED）技术，涉及晶圆级键合和巨量转移工艺。创新点在于缺陷控制算法和量子点色彩增强，实现亚微米级芯片的高分辨率显示和长寿命可靠性。
氮化镓射频技术
三安半导体专注于氮化镓基射频器件研发，使用创新的GaN-on-SiC平台制造高电子迁移率晶体管（HEMT）。关键创新包括微波负载牵引设计和低相位噪声结构，支持高频宽带操作，提升功率附加效率。
碳化硅半导体技术
三安半导体基于6英寸碳化硅衬底，采用高温化学气相沉积（HTCVD）技术进行外延生长，制造高性能SiC MOSFET和二极管。创新点在于优化栅极氧化层工艺和低界面陷阱密度设计，提升了器件的开关效率和可靠性，适用于高频、高功率应用场景。
员工数量
1000-4999人
专利数量
256
经营范围
一般项目：半导体分立器件制造；半导体照明器件制造；照明器具制造；光电子器件制造；集成电路制造；集成电路芯片及产品制造；集成电路设计；电子专用材料研发；电子专用材料制造；电子专用材料销售；电力电子元器件制造；电力电子元器件销售；技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；工程和技术研究和试验发展；珠宝首饰制造；机械设备销售；五金产品批发；电子产品销售；货物进出口；技术进出口；住房租赁；非居住房地产租赁。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
第三代半导体材料芯片制造，包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率及射频器件的研发、生产与销售，服务于高效节能电子领域。
湖南三安半导体有限责任公司
有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
2020-07-07
林志东
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长沙高新开发区长兴路399号