氮化镓合封集成解决方案
整合GaN晶体管和驱动电路于一体的功率模块方案，简化系统设计，提升可靠性和能效，特别适用于复杂应用环境。
氮化镓HEMT高频解决方案
基于GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）的高速开关技术，提供高开关速度和低寄生电容，实现小型化和高功率密度设计。
碳化硅MOSFET功率开关解决方案
使用SiC MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）实现高功率密度和低开关损耗，适用于高压高频环境，优化电源转换效率。
碳化硅肖特基二极管功率解决方案
基于SiC SBD（肖特基二极管）技术的高效功率器件方案，提供低正向压降、零反向恢复电流特性，适用于高频开关应用，提升系统效率。
员工数量
小于50人
专利数量
18
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；电子元器件零售；专业设计服务；半导体器件专用设备销售；集成电路销售；电力电子元器件销售；半导体分立器件销售；货物进出口；技术进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
基于第三代半导体材料（碳化硅和氮化镓）的功率器件的研发、设计、生产和销售。
芯众享（成都）微电子有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
2021-04-15
付文英
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中国（四川）自由贸易试验区成都高新区锦城大道666号3栋7层4号