氮化镓功率器件与合封技术
芯众享在氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）和GaN合封器件领域进行创新设计，利用了高电子迁移率的优势开发低Rds(on)和高速开关特性。技术亮点包括改进的缓冲层设计和AlGaN/GaN异质结构优化，结合封装集成（如多芯片模组封装），实现高频谐振和降低EMI干扰；通过先进的晶圆制造工艺（如外延生长和栅极控制），减少了动态电阻和寄生电容，提升开关速度。关键创新是与代工厂合作，在工艺制程中实现知识产权积累，例如量产化的低压GaN技术，适应快速充电需求。
碳化硅功率器件设计技术
芯众享专注于碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）和碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）的设计研发，基于第三代半导体材料的特性，优化了器件结构以提高开关频率、降低导通损耗和增强热稳定性。核心创新点包括利用先进的晶圆工艺制程（如高温离子注入和钝化技术）实现更高功率密度和可靠性，结合与晶圆代工厂的战略合作，在材料缺陷控制上取得突破，提升器件的电气性能一致性和寿命。
员工数量
小于50人
专利数量
18
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；电子元器件零售；专业设计服务；半导体器件专用设备销售；集成电路销售；电力电子元器件销售；半导体分立器件销售；货物进出口；技术进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
基于第三代半导体材料（碳化硅和氮化镓）的功率器件的研发、设计、生产和销售。
芯众享（成都）微电子有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
2021-04-15
付文英
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