GaN合封器件
氮化镓集成封装器件，是将多个GaN HEMT或其他氮化镓器件集成在单一封装中的系统级解决方案，具有高度集成化（如结合驱动电路和保护电路）、减小寄生参数、提升系统可靠性和热管理能力等特点。应用于快充适配器、笔记本电脑电源、服务器电源模块、工业电机驱动和太阳能逆变器等，以实现小体积、高功率因数和低成本的设计优化。
GaN HEMT
氮化镓高电子迁移率晶体管，是基于氮化镓（GaN）材料的晶体管，具有高电子迁移率（可达到2000 cm²/V·s以上）、超高速开关特性（频率可达数GHz）、低导通损耗和高功率密度。在消费电子（如快充适配器、LED照明）、5G通信基站、射频放大器、数据中心电源和电动汽车DC-DC转换器等应用中，能实现更高效率和更紧凑的设计。
SiC MOSFET
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，是利用碳化硅（SiC）材料制造的高性能场效应晶体管，具备高击穿电压（可达1700V）、低导通电阻（减少功率损耗）、优异的热导率和高速开关能力（频率可达MHz级别）。主要应用于新能源汽车主驱逆变器、充电桩电源、数据中心电源单元（如服务器电源）、工业驱动电源和智能电网等高功率密度系统，以提升能量转换效率并减小体积。
SiC SBD
碳化硅肖特基势垒二极管，是一种基于碳化硅（SiC）材料的功率二极管，具有低正向压降（通常在1.5V以下）、高开关频率（可工作于数百kHz以上）、优异的高温耐受能力（可承受175°C以上温度）和反向恢复时间接近零的特性。广泛应用于消费电子（如手机快充、适配器）、新能源汽车OBC（车载充电器）、太阳能逆变器、服务器电源及工业电机驱动等领域，以提高系统效率和降低功耗。
员工数量
小于50人
专利数量
18
经营范围
一般项目：集成电路设计；集成电路芯片及产品销售；集成电路芯片设计及服务；电子元器件零售；专业设计服务；半导体器件专用设备销售；集成电路销售；电力电子元器件销售；半导体分立器件销售；货物进出口；技术进出口。（除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动）
主营业务
基于第三代半导体材料（碳化硅和氮化镓）的功率器件的研发、设计、生产和销售。
芯众享（成都）微电子有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
2021-04-15
付文英
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