薄膜电路基板
在各类高性能基材（包括但不限于精密陶瓷、石英玻璃、特种金属或合金、聚合物材料）表面，采用物理气相沉积（PVD，如溅射）或化学沉积（如化学镀）等薄膜技术，沉积金属（如铜、铝、金、银、镍等）功能层，并配合光刻、蚀刻等微纳加工工艺形成精密的薄膜电路图案。金属层厚度通常在数十纳米至数微米级别，可实现极高精度线路（线宽/间距可达微米级）。适用于高频高速信号传输、微波毫米波（雷达及5G通讯）元器件、微带线、MEMS传感器电极、超精细柔性互联、高端光电器件等对信号完整性和尺寸精度要求极高的领域。
陶瓷基复合覆铜板
由高性能陶瓷基板（如氮化铝、氧化铝）与高纯度铜箔通过直接覆铜（DBC或AMB等特殊工艺）复合而成。在高温高压下实现铜层与陶瓷基体的高强度、低孔隙率冶金结合。铜层厚度可定制（典型值为0.1mm至0.6mm）。具备极高的热循环可靠性、载流能力、优越的绝缘强度及高温稳定性。是电动汽车（EV）功率模块（如IGBT）、光伏逆变器、工业变频器、风力发电变流器、不间断电源（UPS）及轨道交通核心功率器件的首选封装基板材料。
氧化铝陶瓷基板
以氧化铝（Al2O3）陶瓷为核心材料，通过先进金属化工艺制造。提供96%或99%不同纯度等级。具备良好的电气绝缘性、机械强度和耐高温性能（工作温度可达350°C以上）。支持单面或双面金属化（如DPC工艺），可实现精密布线。主要用于中高功率电子器件的散热及电路载体，如汽车电子控制单元（ECU）、电源模块、功率半导体器件基板、传感器基座及高频通讯（5G）元器件封装基板等。
氮化铝陶瓷基板
采用高热导率氮化铝陶瓷材料，通过精密金属化工艺（如覆铜、覆铝技术）制成。具有优异的热导率（典型值可达170W/m·K以上）、高强度、低热膨胀系数及高绝缘性能。支持光刻蚀刻制作精细线路，满足24层及以上高密度电路需求。主要用于高功率LED封装基板、激光器热沉、电力电子模块基板、航空航天及雷达高频器件散热基座等极端散热要求的场景。