碳化硅衬底定制开发服务
科之诚提供碳化硅衬底的设计和开发服务，根据客户需求定制规格（如特定晶向、尺寸或缺陷控制要求）。服务包括晶体生长仿真、材料表征（使用XRD、Raman光谱等方法评估晶体结构）和工艺优化支持。目标客户包括新能源汽车供应链中的器件制造商和工业应用企业，支持快速原型开发和批量生产方案。
碳化硅晶锭
科之诚提供碳化硅单晶晶锭，作为衬底片生产的基础材料。晶锭采用碳化硅粉末原料，通过高温炉晶体生长工艺，确保高度均匀的单晶结构和优异的电气绝缘性能（电阻率>10^5 Ω·cm）。直径支持4英寸及6英寸规格，杂质含量控制在ppm级别，适用于切割成高平整度衬底片（翘曲度<10μm），主要供应给半导体衬底制造商和下游外延片加工企业，推动电力电子器件的性能优化。
碳化硅单晶衬底片
科之诚生产的高质量碳化硅单晶衬底片，直径包括4英寸和6英寸规格。这些衬底采用先进的物理气相传输（PVT）技术制备，具有低缺陷密度（如微管密度低于0.5/cm²）、高晶体质量和高热导率（约490 W/m·K）等特点。主要应用于高压高温环境下的功率半导体器件制造，如电动汽车中的车载充电器、太阳能逆变器以及5G通信设备的转换模块等。产品符合行业标准，如Tier-1汽车电子认证。