FRD
快恢复二极管，是一种专为高频开关应用设计的功率二极管，通过控制掺杂浓度和结构优化，实现超快速恢复时间（通常在50ns至150ns）和低反向恢复电荷。用于减少电磁干扰和开关损耗，主要应用于功率因数校正电路、开关电源模块、高频逆变器和工业马达控制中，提升系统效率和响应速度。
MOSFET
金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种广泛用于电源管理和开关电路的器件，采用超结技术或沟槽门设计，提供低导通电阻、低开关损耗和高电流密度。产品包括低功率到高压系列，覆盖30V至800V范围，常见于笔记本电脑电源适配器、LED驱动器、充电器和DC-DC转换器等应用。
IGBT
绝缘栅双极晶体管，是一种电压驱动的功率半导体器件，采用先进的沟槽场截止技术，具有高输入阻抗、低导通压降、高开关频率和高温工作能力等特点。应用于变频器、电机驱动器、不间断电源和太阳能逆变器等领域，提供高效的能量转换和系统可靠性。
融资次数
5
员工数量
小于50人
专利数量
19
经营范围
功率半导体器件的设计、制造、维修及售后服务（国家限制外商投资产业除外）。
主营业务
主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案，专注于高效率和可靠性要求的电力电子领域。
宁波达新半导体有限公司
有限责任公司(中外合资)
￥2,191万
2013-03-28
陈智勇
13484212490
myzhao@daxin-semi.com
浙江省余姚市经济开发区城东新区冶山路