快恢复二极管(FRD)技术
达新开发了优化的复合控制技术与特殊的终端结构。核心技术在于通过精确控制载流子寿命(采用铂/电子辐照掺杂或局域寿命控制)，在维持低正向压降(Vf)的同时，显著降低反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr)。该技术的创新点在于独特的局域寿命控制（Local Lifetime Control）工艺，有效平衡了Vf与软度因子（Softness Factor）。
超结MOSFET (SJ-MOSFET)技术
公司采用深槽刻蚀填充工艺制备超结结构。该技术通过周期性排列的P/N柱实现电荷平衡，显著突破传统平面MOSFET的硅极限。关键技术在于精确控制外延生长与深槽刻蚀填充工艺，形成陡峭的掺杂轮廓，从而在相同芯片面积下实现更高的击穿电压和更低的导通电阻(Rds(on))。
高压沟槽栅场截止型IGBT技术
达新半导体在IGBT领域采用先进的沟槽栅结合场截止层结构设计。该技术通过优化沟槽栅极形状降低栅电荷(Qg)，同时利用精确掺杂的场截止层控制载流子分布，实现导通损耗(Vce(sat))与关断损耗(Eoff)的最优折中（Trade-off）。其创新点在于独特的背面工艺控制与终端结构设计，有效提升耐压能力与可靠性。
融资次数
5
员工数量
小于50人
专利数量
19
经营范围
功率半导体器件的设计、制造、维修及售后服务（国家限制外商投资产业除外）。
主营业务
主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案，专注于高效率和可靠性要求的电力电子领域。
宁波达新半导体有限公司
有限责任公司(中外合资)
￥2,191万
2013-03-28
陈智勇
13484212490
myzhao@daxin-semi.com
浙江省余姚市经济开发区城东新区冶山路