SiC功率模块
半桥结构功率模块P62M1（1200V/62mΩ），集成NTC温度检测功能，采用低电感封装设计（Dual in-line PSD封装），最大持续工作电流达150A，主要用于兆瓦级光伏逆变系统。
1700V SiC MOSFET
高压平台产品如HAM170N1（1700V/200mΩ），采用优化栅氧技术提升可靠性，通过100% UIS测试认证，满足牵引变流器、风力发电等严苛环境要求。
SiC MOSFET器件
覆盖650V/1200V/1700V电压平台，典型型号如HAM065N1（650V/35mΩ）、HAM120N1（1200V/100mΩ）。采用平面栅工艺技术，提供TO-247-3L/4L封装，具备高速开关特性与低导通损耗，适用于工业电机驱动及数据中心电源系统。
1200V SiC肖特基二极管系列
典型产品如HA3D120B（1200V/15A）、HA3D120D（1200V/40A）等，同样采用TO-220AB/TO-247封装。具有耐高温、抗浪涌电流能力强等特性，主要应用于电动汽车充电桩、光伏逆变器等高压场景。
650V SiC肖特基二极管系列
采用ShenZhen HanSiCarbon Technology自研芯片，电流范围覆盖5A-40A，主要型号包括HA3D060A（650V/5A）、HA3D060C（650V/20A）等。采用TO-220AB/TO-247封装，具有零反向恢复损耗、低正向压降特性，适用于高效率电源应用。
融资次数
2
员工数量
-
经营范围
一般经营项目是：宽能隙功率模组的设计和开发，碳化硅、氮化镓功率半导体的设计和开发；集成电路产品的研发和销售；车载电子产品、车联网终端产品、智能车载 产品的研发和销售；计算机软硬件技术开发、技术咨询与技术服务。，许可经营项目是：集成电路产品、车载电子产品、车联网终端产品、智能车载产品的生产。
主营业务
碳化硅和氮化镓功率半导体器件的研发、设计和销售，专注于SiC二极管、MOSFETs及GaN晶体管的芯片级制造与模块解决方案，服务于新能源、电动汽车和工业电力领域。
深圳瀚薪科技有限公司
有限责任公司
￥1,429万
2019-12-19
徐菲
xiaoqian.zhang@hestiapower.cn
深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道10号深圳湾科技生态园10栋501