瀚薪科技
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SiC与GaN功率半导体研发商
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功率模块解决方案
提供基于SiC和GaN的功率模块设计与定制服务,涉及封装技术、散热优化和系统集成。业务包括开发标准化或客制化模块,用于逆变器、电机驱动等场景,结合电力电子应用研究,确保模块在高功率密度和长寿命条件下的性能稳定。
氮化镓功率半导体产品开发
致力于氮化镓(GaN)功率半导体技术的研发,涵盖GaN晶体管、HEMT器件等的设计与生产。研究GaN材料的电学特性、热稳定性及高频性能优化,通过先进制程工艺提升器件的可靠性,应用场景包括快充电源、数据中心供电系统等,以支持更小型化、高效率的电力电子设备。
碳化硅功率半导体产品开发
专注于碳化硅(SiC)材料的研究、设计与制造,包括SiC肖特基二极管、MOSFET等功率器件的芯片级开发。核心涉及SiC材料的特性分析、晶圆制程工艺优化、以及高电压高频率应用的半导体设计,目标是为电动汽车、太阳能逆变器等领域提供高效率功率转换解决方案。
融资次数
2
员工数量
-
经营范围
一般经营项目是:宽能隙功率模组的设计和开发,碳化硅、氮化镓功率半导体的设计和开发;集成电路产品的研发和销售;车载电子产品、车联网终端产品、智能车载 产品的研发和销售;计算机软硬件技术开发、技术咨询与技术服务。,许可经营项目是:集成电路产品、车载电子产品、车联网终端产品、智能车载产品的生产。
主营业务
碳化硅和氮化镓功率半导体器件的研发、设计和销售,专注于SiC二极管、MOSFETs及GaN晶体管的芯片级制造与模块解决方案,服务于新能源、电动汽车和工业电力领域。
公司全称
深圳瀚薪科技有限公司
公司类型
有限责任公司
注册资本
¥1,429万
成立时间
2019-12-19
法定代表人
徐菲
邮箱
xiaoqian.zhang@hestiapower.cn
地址
深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道10号深圳湾科技生态园10栋501