氮化镓（GaN）功率半导体器件开发
瀚薪科技基于GaN材料的优势，开发高频HEMT（高电子迁移率晶体管）器件。创新点包括采用异质结构设计优化电子迁移率，实现高开关速度（上升/下降时间<10ns）和低输出电容（Coss），支持MHz级高频操作。结合新型封装技术，提升热管理能力，确保在高效功率转换中的可靠性和尺寸小型化。
碳化硅（SiC）功率半导体器件设计
瀚薪科技专注于SiC材料的特性分析和高性能功率半导体器件开发，核心创新包括优化MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）结构，如专利化的栅极驱动设计，以提高高温稳定性（工作温度可达200°C以上）和降低Rds(on)（导通电阻）。通过掺杂层优化，减少开关损耗并提升击穿电压能力（支持1200V以上级别），在高压环境中实现高效转换效率。
融资次数
2
员工数量
-
经营范围
一般经营项目是：宽能隙功率模组的设计和开发，碳化硅、氮化镓功率半导体的设计和开发；集成电路产品的研发和销售；车载电子产品、车联网终端产品、智能车载 产品的研发和销售；计算机软硬件技术开发、技术咨询与技术服务。，许可经营项目是：集成电路产品、车载电子产品、车联网终端产品、智能车载产品的生产。
主营业务
碳化硅和氮化镓功率半导体器件的研发、设计和销售，专注于SiC二极管、MOSFETs及GaN晶体管的芯片级制造与模块解决方案，服务于新能源、电动汽车和工业电力领域。
深圳瀚薪科技有限公司
有限责任公司
￥1,429万
2019-12-19
徐菲
xiaoqian.zhang@hestiapower.cn
深圳市南山区粤海街道高新区社区高新南九道10号深圳湾科技生态园10栋501