与英诺赛科（Innoscience）合作推动GaN功率器件产业化
该研究院与英诺赛科公司合作，在GaN功率器件的产业化过程中提供关键技术支撑。研究院利用其公共技术平台，协助企业优化GaN外延层结构设计、芯片工艺参数及模块封装方案，解决了高功率密度下的散热和效率问题。合作成果被应用于电动车充电模块和服务器电源系统，帮助企业缩短了产品开发周期并提升了市场竞争力。
与中国电子科技集团公司第十四研究所合作开发GaN射频器件
该研究院与中国电子科技集团公司第十四研究所合作，针对军事通信和雷达应用需求，利用自身在第三代半导体材料GaN的外延生长技术和芯片工艺平台，共同开发高性能GaN射频功率放大器。研究院提供了材料特性优化、器件设计指导以及小批量试制测试服务，帮助企业解决了高频环境下器件稳定性问题，成功实现了器件量产，提升了国防装备性能。
科创行业
融资次数
1
员工数量
50-99人
专利数量
278
经营范围
研发、生产、销售：半导体材料及器件及模块、纳米材料、电子产品、集成电路、半导体芯片、计算机软件与硬件，并提供测试分析、技术咨询、技术服务、技术转让；半导体器件封装与性能评价服务；从事上述商品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
以第三代半导体技术为核心，提供材料制备、芯片工艺、应用模块等全链条研发服务，构建产学研合作平台，聚焦新技术产业化和公共服务，推动半导体技术在显示、通信、电力等领域的应用与可持续发展。
江苏第三代半导体研究院有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥1,000万
2019-07-26
徐科
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