碳化硅半导体衬底及外延片解决方案
天科合达提供基于碳化硅（SiC）材料的衬底和外延片，用于制造高性能功率半导体器件。该方案通过先进的晶体生长技术（如物理气相传输法），生产出高品质的4H-SiC单晶衬底和均匀外延层，支持高温、高功率应用。它能实现高电压耐受、低导通损耗和优异热稳定性，适用于各类电力电子系统的核心部件设计、生产和优化。
融资次数
12
员工数量
500-999人
专利数量
127
经营范围
生产第三代半导体碳化硅产品（碳化硅晶片）；研究、开发碳化硅晶片；生产、销售碳化硅单晶生长设备（限外埠从事生产经营活动）；技术咨询、服务、培训、转让；销售自产产品；货物进出口；技术进出口；代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
主要从事碳化硅晶片的研发、生产和销售，服务于新能源汽车、新能源发电等领域的半导体产业需求。
北京天科合达半导体股份有限公司
其他股份有限公司(非上市)
￥5.06亿
2006-09-12
杨建
010-50875766
zhangyanqin@tankeblue.cn
北京市大兴区丰远街1号院1号楼