碳化硅衬底精细化加工技术
该技术涵盖晶圆的切片、化学机械抛光（CMP）和表面处理工艺，创新点在于引入低损伤切割算法和高精度表面平坦化方法，通过纳米级抛光液配方和原位检测系统，确保衬底表面粗糙度<0.2 nm，同时减少表面损伤层厚度至1μm以下。关键技术解决了SiC材料硬度高、易崩边的难题，显著提升了器件的电学性能和制造良率。
碳化硅单晶物理气相传输（PVT）生长技术
天科合达采用物理气相传输法生产高质量碳化硅单晶，核心创新点包括多温区梯度控制技术和高温生长均匀化系统，通过优化升华源原料纯度和精密温度调控（可达2200°C以上），有效降低了晶体缺陷密度（如位错和微管缺陷），实现6英寸及以上碳化硅晶圆的规模化量产。该方法克服了传统SiC生长的热应力不稳定问题，提升了晶体结构的完整性和材料利用效率。
融资次数
12
员工数量
500-999人
专利数量
127
经营范围
生产第三代半导体碳化硅产品（碳化硅晶片）；研究、开发碳化硅晶片；生产、销售碳化硅单晶生长设备（限外埠从事生产经营活动）；技术咨询、服务、培训、转让；销售自产产品；货物进出口；技术进出口；代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
主要从事碳化硅晶片的研发、生产和销售，服务于新能源汽车、新能源发电等领域的半导体产业需求。
北京天科合达半导体股份有限公司
其他股份有限公司(非上市)
￥5.06亿
2006-09-12
杨建
010-50875766
zhangyanqin@tankeblue.cn
北京市大兴区丰远街1号院1号楼