半绝缘碳化硅衬底
这种衬底针对射频（RF）和微波器件应用，如5G通信中的功率放大器和高频开关。主要特点是高电阻率（大于 1e5 Ω·cm）、低功率损耗以及优异的频率特性，能在高频率（10GHz以上）下工作，提升信号传输效率。规格包括直径4英寸或6英寸，厚度标准为350μm，晶体为半绝缘4H-SiC，用于增强雷达系统和卫星通信设备的性能稳定性。
6英寸导电型碳化硅衬底
这种衬底专为大规模生产高端功率半导体器件设计，包括IGBT和功率模块，支持更高功率密度和更小器件尺寸。技术特点包括出色的晶体质量（位错密度低于 1e4 cm⁻²）、出色的电子迁移率和热稳定性（工作温度可达 200°C 以上），适用于数据中心电源和工业变频器。规格包括直径150mm（6英寸），厚度范围从350μm到500μm，采用4H-SiC结构，支持更高的芯片产出率和成本效益。
4英寸导电型碳化硅衬底
这种衬底主要用于制造高效功率半导体器件，如肖特基二极管（SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。其特点包括高导电性、优异的热管理能力（导热系数约 490 W/m·K）、高耐压（典型值达 1200V 以上）以及低微管密度（微管密度小于 0.5 cm⁻²），有助于提升电动汽车和可再生能源系统的效率。材料规格为直径100mm（4英寸），厚度标准为350μm，晶体结构为4H-SiC，适用于高温高频应用。
融资次数
12
员工数量
500-999人
专利数量
127
经营范围
生产第三代半导体碳化硅产品（碳化硅晶片）；研究、开发碳化硅晶片；生产、销售碳化硅单晶生长设备（限外埠从事生产经营活动）；技术咨询、服务、培训、转让；销售自产产品；货物进出口；技术进出口；代理进出口。（市场主体依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
主营业务
主要从事碳化硅晶片的研发、生产和销售，服务于新能源汽车、新能源发电等领域的半导体产业需求。
北京天科合达半导体股份有限公司
其他股份有限公司(非上市)
￥5.06亿
2006-09-12
杨建
010-50875766
zhangyanqin@tankeblue.cn
北京市大兴区丰远街1号院1号楼