福联集成 - 公司详情 - 核心技术

福联集成在氮化镓（GaN）晶圆制造方面侧重于硅基（GaN-on-Si）和碳化硅基（GaN-on-SiC）晶圆的开发，核心为高效功率器件的制造。创新点体现在先进的缺陷控制技术和热管理系统设计，实现高温下高功率密度的稳定运行，并降低能量损失。

福联集成在砷化镓（GaAs）晶圆制造领域采用先进的6英寸晶圆工艺，核心技术包括高电子迁移率晶体管（pHEMT）和异质结双极晶体管（HBT）的批量生产。创新点突出在优化的金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延生长工艺，有效控制材料缺陷密度和电子迁移率，提升器件的频率响应和可靠性。

科创行业

新材料前沿新材料及相关技术服务

融资次数

员工数量

100-499人

专利数量

162

经营范围

半导体分立器件和集成电路外延片、芯片、模组及相关产品的研发、生产、销售、委托制造加工与国内外贸易。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）

主营业务

专注于第二代半导体砷化镓与第三代半导体氮化镓的芯片制造服务，提供晶圆专工解决方案。

公司全称

福建省福联集成电路有限公司

公司类型

有限责任公司(国有控股)

注册资本

￥8.9962亿

成立时间

2015-10-16

法定代表人

林喆

电话

0594-3689000

邮箱

zongjingban@unicompound.com

网址

地址

莆田市涵江区江口镇赤港涵新路3688号