碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）外延片
晶湛半导体的碳化硅基氮化镓外延片结合了氮化镓的宽带隙特性和碳化硅的优异热导率，专为高功率和高频射频设计。产品适用于高温、高电压环境，如电动汽车的功率转换器、工业电机控制和军事雷达系统。外延片尺寸为150mm，具备低射频损耗和高击穿电压性能，支持高频器件的可靠性和高效率。
硅基氮化镓（GaN on Si）外延片
晶湛半导体的硅基氮化镓外延片采用高质量外延生长技术制造，主要用于射频应用和电力电子设备。其产品特点包括低缺陷密度、高电子迁移率和良好的热稳定性，适用于5G基站、雷达系统和功率放大器等领域。尺寸覆盖150mm（6英寸），满足工业批量生产需求，可在微波频率下实现高效能运作。
融资次数
8
员工数量
100-499人
专利数量
229
经营范围
半导体材料及器件、电子产品、电气设备的设计、测试、技术开发、生产、加工、销售及咨询服务，从事上述产品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
制造和销售高性能氮化镓外延片，专注于为微波射频和电力电子器件应用提供核心半导体材料。
苏州晶湛半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥8,213万
2012-03-09
程凯
0512-62709255
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中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区旺家浜巷2号