氮化镓电力电子外延片技术
晶湛半导体开发出专用于高功率电子器件的GaN HEMT外延片，通过精密的掺杂控制（如Si、Mg掺杂）和异质结构设计（如AlGaN/GaN异质结），优化载流子输运特性和击穿电压。创新点在于采用多层缓冲结构和缺陷钝化工艺，实现高电压运行（>650 V）和低开关损耗，提升功率转换效率和可靠性。
氮化镓微波射频外延片技术
晶湛半导体采用先进的金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺，在硅基（GaN-on-Si）或碳化硅基（GaN-on-SiC）衬底上生长高质量GaN外延层，通过优化的缓冲层设计（如AlGaN过渡层）减少晶格失配和位错缺陷，实现高二维电子气（2DEG）浓度和均匀度。创新点在于结合原位监测和应力管理技术，提高器件的高频性能和热稳定性，适用于高频高功率密度场景。
融资次数
8
员工数量
100-499人
专利数量
229
经营范围
半导体材料及器件、电子产品、电气设备的设计、测试、技术开发、生产、加工、销售及咨询服务，从事上述产品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
制造和销售高性能氮化镓外延片，专注于为微波射频和电力电子器件应用提供核心半导体材料。
苏州晶湛半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥8,213万
2012-03-09
程凯
0512-62709255
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中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区旺家浜巷2号