与Broadcom（博通）的合作案例
晶湛半导体为Broadcom公司提供定制化的GaN外延片材料，用于开发高速RF前端模块。具体做法是晶湛根据Broadcom的设计需求，开发出高线性度和低噪声的GaN-on-Si外延层，通过严格的材料表征和性能验证。Broadcom利用这些材料制造适用于智能手机和Wi-Fi 6设备的功率放大器，实现了更大的传输带宽和更低的功耗，提升了移动通信设备的性能。
与英飞凌的合作案例
晶湛半导体与英飞凌公司合作开发用于电动汽车（EV）的高效GaN功率开关器件。晶湛提供高品质的GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）外延片材料，具体做法是通过先进的分子束外延（MBE）技术控制GaN薄膜的生长质量，实现高击穿电压和高温操作能力。英飞凌将这些外延片集成到功率模块中，用于车载充电器和逆变器，提升了转换效率和功率密度，减少了电动汽车的能源损失和系统尺寸。
与Qorvo的合作案例
晶湛半导体为全球领先的射频解决方案提供商Qorvo提供高性能GaN-on-Si（硅基氮化镓）外延片材料，用于5G无线基础设施的射频功率放大器。具体做法是晶湛优化了GaN外延层的生长工艺，提升材料的迁移率、热稳定性和功率效率。Qorvo利用这些外延片开发出高效率、低损耗的RF器件，应用于5G宏基站和mmWave系统，实现了更高的信号输出功率和更低的能耗，支持了5G网络的商业部署。
融资次数
8
员工数量
100-499人
专利数量
229
经营范围
半导体材料及器件、电子产品、电气设备的设计、测试、技术开发、生产、加工、销售及咨询服务，从事上述产品及技术的进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
主营业务
制造和销售高性能氮化镓外延片，专注于为微波射频和电力电子器件应用提供核心半导体材料。
苏州晶湛半导体有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥8,213万
2012-03-09
程凯
0512-62709255
info@enkris.com
中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区旺家浜巷2号