3月12日，江波龙 在MemoryS2025 峰会上，基于自研主控WM7400，率先推出UFS 4.1，采用国际先进Foundry工艺，并融合了3rd Gen. Prime LDPC等多项高可靠特性，可同时支持TLC和QLC NAND Flash。该产品采用高性能芯片架构，同时具备更优的H8待机功耗及能效比，顺序读取速度高达4350MB/s，随机读写速度高达750K / 630K IOPS，容量最高可达2TB。
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3月12日，江波龙 在MemoryS2025 峰会上，基于自研主控WM7400，率先推出UFS 4.1，采用国际先进Foundry工艺，并融合了3rd Gen. Prime LDPC等多项高可靠特性，可同时支持TLC和QLC NAND Flash。该产品采用高性能芯片架构，同时具备更优的H8待机功耗及能效比，顺序读取速度高达4350MB/s，随机读写速度高达750K / 630K IOPS，容量最高可达2TB。