近日，北方华创正式发布SICRIUS PY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、多晶硅薄膜沉积技术，成功攻克高深宽比结构填充、高平坦度薄膜生长和兼容低温工艺三大技术瓶颈，标志着北方华创在高端半导体装备领域持续取得关键技术突破。

在三维集成芯片制造成为主流的今天，堆叠层数的增加带来了更高的深宽比要求，这使得垂直结构填充面临挑战。传统填充工艺容易产生孔洞，从而导致器件失效。SICRIUS PY302系列设备通过其低压反应腔技术和多区独立高精度温控系统，实现了自下而上的无缺陷填充，确保了高台阶覆盖率。这一技术突破为逻辑芯片和存储芯片等头部企业的量产需求提供了坚实保障。

在高端芯片栅极制造中，实现薄膜的高平坦度是一项关键挑战。SICRIUS PY302系列设备采用全自主设计的全石英腔室与高精度温度控制加热器，结合气体流场与热场协同控制算法，将膜厚均匀性和表面粗糙度控制在原子级，显著提升晶体管电性稳定性。同时，该设备集成了多种硅源前驱体，并实现了原位清洗、原位刻蚀和多元素掺杂等先进工艺功能，从而大幅降低了器件的缺陷率。

目前，SICRIUS PY302系列设备已通过多家领先晶圆厂的严格验证，在先进逻辑与存储芯片制造中实现了规模量产，并持续获得重复订单，为半导体制造企业提供了高效、可靠的设备解决方案。