氮化铝热处理设备及工艺解决方案
包括退火炉、氧化设备和相关热处理系统，用于氮化铝晶圆的后处理，如高温退火（1200-1600°C）和表面钝化。公司提供全套技术服务和解决方案：涵盖设备定制设计、热场模拟仿真（使用FEM软件优化温度分布）、生长工艺优化（提升晶圆良率和性能）、晶圆切割/抛光制程支持，以及品质检测（如XRD、SEM测试）。这些服务基于真实工程经验，帮助客户降低生产成本和提高器件性能，适用于新材料研发和产业化过程。
全自动氮化铝PVT气相沉积炉
专业化的物理气相传输（PVT）系统，用于氮化铝单晶生长。设备包含全自动控制模块、高精度温控系统（温度范围1600-2200°C）、优化的热场设计和真空/惰性气体环境控制。核心功能包括大直径单晶生长（如2英寸及以上），可减少杂质和缺陷，支持连续生产。该炉系统已被应用于公司自有生产线，并销售给半导体材料制造商，服务于衬底材料的规模生产和研发实验室，确保低能耗和高产出率。
蓝宝石基氮化铝薄膜模板
在蓝宝石（Al₂O₃）衬底上沉积的高质量氮化铝薄膜模板，厚度范围为500纳米至数微米。利用蓝宝石的光学透明性和热稳定性，该产品能够支持高效紫外发光器件的制造，特别适用于深紫外光刻、生物传感和高功率激光器应用。关键特性包括低缺陷密度（表面粗糙度小于1nm）、优异的散热性能和光学性能，确保在UV-LED和激光 diode 制造中的高可靠性和长寿命。
硅基氮化铝薄膜模板
在硅衬底上外延生长的氮化铝薄膜模板，通过分子束外延（MBE）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术实现，厚度一般在1-10微米范围。该产品提供优异的晶格匹配性和热稳定性，便于在硅基上直接集成氮化铝器件，适用于高性能紫外LED芯片、微波功率器件和传感器等异质结构。技术优势包括低界面应力和高均匀性薄膜质量，被广泛用于微电子和光电器件制造平台中。
氮化铝单晶晶圆衬底
高纯度氮化铝单晶制成的晶圆衬底材料，具备超宽禁带半导体特性（禁带宽度约6.2 eV）、高导热系数（约285 W/m·K）、高绝缘电阻和低热膨胀系数。主要用于制造深紫外发光二极管（UVC LED）、高功率激光器、高频微波器件（如5G/6G射频前端器件）及高温电子设备（如功率模块）。产品规格通常涵盖2英寸及以上的晶圆尺寸，具有较低缺陷密度（位错密度小于10^4 cm^{-2}）和优良的表面平整度，是《中国制造2025》关键战略新材料目录中的重点项目，服务于光电子、微波通信和电力电子领域。
融资次数
2
员工数量
小于50人
经营范围
许可项目：货物进出口；技术进出口；第一类增值电信业务；互联网信息服务；第二类增值电信业务(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以审批结果为准)。一般项目：技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广；电子专用材料制造；电子专用材料销售；集成电路芯片及产品制造；集成电路芯片及产品销售；光电子器件制造；光电子器件销售；电子元器件制造；电子元器件零售；电子元器件与机电组件设备制造；其他电子器件制造；半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设备销售；电子专用设备制造；金属材料制造；金属材料销售(除依法须经批准的项目外，凭营业执照依法自主开展经营活动)。
主营业务
奥趋光电技术核心主营为超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、薄膜模板及相关沉积炉设备的研发、制造与销售，并提供全环节专业技术服务。
奥趋光电技术（杭州）有限公司
有限责任公司(自然人投资或控股)
￥2,447万
2018-12-27
邬萌靓
18069846900
peng.chen@utrendtech.com
浙江省杭州市临平区经济技术开发区顺风路503号3号楼五层518室